Uniformity and Retention Improvement of TaO x -Based Conductive Bridge Random Access Memory by CuSiN Interfacial Layer Engineering

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2017-09, Vol.38 (9), p.1232-1235
Hauptverfasser:	Gong, Tiancheng, Luo, Qing, Xu, Xiaoxin, Yuan, Peng, Ma, Haili, Chen, Chuanbing, Liu, Qi, Long, Shibing, Lv, Hangbing, Liu, Ming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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