Low-Temperature Solution-Based In 2 O 3 Channel Formation for Thin-Film Transistors Using a Visible Laser-Assisted Combustion Process
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Veröffentlicht in: | IEEE electron device letters 2017-09, Vol.38 (9), p.1259-1262 |
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Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0741-3106 1558-0563 |
DOI: | 10.1109/LED.2017.2734905 |