Normally-Off LPCVD-SiN x /GaN MIS-FET With Crystalline Oxidation Interlayer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2017-07, Vol.38 (7), p.929-932
Hauptverfasser:	Hua, Mengyuan, Wei, Jin, Tang, Gaofei, Zhang, Zhaofu, Qian, Qingkai, Cai, Xiangbin, Wang, Ning, Chen, Kevin J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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