High-Performance Ultraviolet 385-nm GaN-Based LEDs With Embedded Nanoscale Air Voids Produced Through Atomic Layer Deposition and Al 2 O 3 Passivation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2016-04, Vol.37 (4), p.452-455
Hauptverfasser:	Liu, Che-Yu, Huang, Chia-Yen, Wu, Pei-Yu, Huang, Jhih-Kai, Kao, Tsung Sheng, Zhou, An-Je, Lin, Da-Wei, Wu, YewChung Sermon, Chang, Chun-Yen, Kuo, Hao-Chung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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