A Separate Extraction Method for Asymmetric Source and Drain Resistances Using Frequency-Dispersive C-V Characteristics in Exfoliated MoS 2 FET

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2016-02, Vol.37 (2), p.231-233
Hauptverfasser:	Hagyoul Bae, Choong-Ki Kim, Seung-Bae Jeon, Gwang Hyuk Shin, Eung Taek Kim, Jeong-Gyu Song, Youngjun Kim, Dong-Il Lee, Hyungjun Kim, Sung-Yool Choi, Kyung Cheol Choi, Yang-Kyu Choi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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