Sensitivity Enhancement of Ultraviolet Photodetectors With the Structure of p-NiO/Insulator-SiO 2 /n-ZnO Nanowires

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2015-08, Vol.36 (8), p.850-852
Hauptverfasser:	Li, Yu-Ren, Wan, Chung-Yun, Chang, Chia-Tsung, Huang, Yu-Chih, Tsai, Wan-Lin, Lee, I-Che, Cheng, Huang-Chung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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