Gate-recessed integrated E/D GaN HEMT technology with f T /f max >300 GHz

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2013-06, Vol.34 (6), p.741-743
Hauptverfasser:	Schuette, Michael L., Ketterson, Andrew, Song, Bo, Beam, Edward, Chou, Tso-Min, Pilla, Manyam, Tserng, Hua-Quen, Gao, Xiang, Guo, Shiping, Fay, Patrick J., Xing, Huili Grace, Saunier, Paul
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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