Hopping effect of hydrogen-doped silicon oxide insert RRAM by supercritical CO 2 fluid treatment

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2013-05, Vol.34 (5), p.617-619
Hauptverfasser:	Chang, Kuan-Chang, Chu, Tian-Jian, Chen, Jian-Yu, Su, Yu-Ting, Jiang, Jhao-Ping, Chen, Kai-Huang, Huang, Hui-Chun, Syu, Yong-En, Gan, Der-Shin, Sze, Simon M., Pan, Chih-Hung, Chang, Ting-Chang, Tsai, Tsung-Ming, Zhang, Rui, Lou, Jen-Chung, Young, Tai-Fa, Chen, Jung-Hui, Shih, Chih-Cheng
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!