Suppression in negative bias illumination stress instability of zinc tin oxide transistor by insertion of thermal TiO x films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2013-02, Vol.34 (2), p.253-255
Hauptverfasser: Lee, Chang-Kyu, Jung, Hong Yoon, Park, Se Yeob, Son, Byeong Geun, Lee, Chul-Kyu, Kim, Hyo Jin, Choi, Rino, Kim, Dae-Hwan, Bae, Jong-Uk, Shin, Woo-Sup, Jeong, Jae Kyeong
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/LED.2012.2230242