Atomic Layer Deposition of High- $kappa$ Dielectric for Germanium MOS Applications—Substrate Surface Preparation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2004-05, Vol.25 (5), p.274-276
Hauptverfasser:	Chui, C.O., Kim, H., McIntyre, P.C., Saraswat, K.C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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