Different nature of process-induced and stress-induced defects in thin SiO 2 layers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-06, Vol.24 (6), p.393-395
Hauptverfasser:	Cellere, G., Valentini, M.G., Pantisano, L., Cheung, K.P., Paccagnella, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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