Reliability investigation of 0.07-μm InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In 0.75 Ga 0.25 As channel

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-06, Vol.24 (6), p.378-380
Hauptverfasser:	Chou, Y.C., Leung, D., Lai, R., Grundbacher, R., Barsky, M., Kan, Q., Tsai, R., Wojtowicz, M., Eng, D., Tran, L., Block, T., Liu, P.H., Nishimoto, M., Oki, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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