One transistor ferroelectric memory with Pt/Pb/sub 5/Ge/sub 3/O/sub 11//Ir/poly-Si/SiO/sub 2//Si gate-stack

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2002-06, Vol.23 (6), p.339-341
Hauptverfasser:	Tingkai Li, Sheng Teng Hsu, Ulrich, B.D., Stecker, L., Evans, D.R., Lee, J.J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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