GaAs MESFETs fabricated on Si substrates using a SrTiO 3 buffer layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2002-06, Vol.23 (6), p.300-302
Hauptverfasser:	Eisenbeiser, K., Emrick, R., Droopad, R., Yu, Z., Finder, J., Rockwell, S., Holmes, J., Overgaard, C., Ooms, W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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