Design of Mid-Infrared Ge 1-x Sn x /Ge Heterojunction Photodetectors on GeSnOI Platform With a Bandwidth Exceeding 100 GHz

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of selected topics in quantum electronics 2025-01, Vol.31 (1: SiGeSn Infrared Photon.), p.1-8
Hauptverfasser:	Kumar, Harshvardhan, Oehme, Michael
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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