Investigation of 1.3-μm GaInNAd vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) using temperature, high-pressure, and modeling techniques
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Veröffentlicht in: | IEEE journal of selected topics in quantum electronics 2003-09, Vol.9 (5), p.1202-1208, Article 1202 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 1077-260X 1558-4542 |
DOI: | 10.1109/JSTQE.2003.820913 |