A 22-nm FDSOI CMOS Low-Noise Active Balun Achieving < −44-dBc HD3 Up To 1.5-V p-p Output Swing Over 0.01–5.4-GHz for Direct RF Sampling Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 2022-05, Vol.57 (5), p.1432-1445
Hauptverfasser:	Bhat, Anoop Narayan, van der Zee, Ronan A. R., Nauta, Bram
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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