Analytical dV CE /dt Model of High-Power Trench Gate/Field-Stop IGBT Modules Considering Dynamical Conduction Current at Near-ZCT Transient

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics 2024-10, Vol.12 (5), p.4993-5003
Hauptverfasser: Li, Yue, Guo, Xizheng, Chen, Yueqing, Sun, Zonghui, You, Xiaojie
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2168-6777
2168-6785
DOI:10.1109/JESTPE.2024.3444906