I-V-T Characteristics and Temperature Sensor Performance of a Fully 2-D WSe 2 /MoS 2 Heterojunction Diode at Cryogenic Temperatures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of the Electron Devices Society 2023, Vol.11, p.359-366
Hauptverfasser:	Matthus, Christian D., Chava, Phanish, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Mikolajick, Thomas, Helm, Manfred, Erbe, Artur
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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