Cathodoluminescence Study of Damage Formation and Recovery in Si-ion-implanted β-Ga 2 O 3

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of the Electron Devices Society 2022, Vol.10, p.751-756
Hauptverfasser:	Sugie, Ryuichi, Uchida, Tomoyuki, Hashimoto, Ai, Akahori, Seishi, Matsumura, Koji, Tanii, Yoshiharu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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