$High-Performance LPCVD-SiN x /InAlGaN/GaN MIS-HEMTs With 850-V 0.98-$\text{m}{\Omega} \cdot$ cm 2 for Power Device Applications$

High-Performance LPCVD-SiN x /InAlGaN/GaN MIS-HEMTs With 850-V 0.98-$\text{m}{\Omega} \cdot$ cm 2 for Power Device Applications

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of the Electron Devices Society 2018, Vol.6, p.1136-1141
Hauptverfasser:	Wang, Huan-Chung, Lumbantoruan, Franky Juanda, Hsieh, Ting-En, Wu, Chia-Hsun, Lin, Yueh-Chin, Chang, Edward Yi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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