Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si 0.45 Ge 0.55 , Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of the Electron Devices Society 2018, Vol.6, p.841-848
Hauptverfasser:	Yao, Jiaxin, Yin, Huaxiang, Wang, Wenwu, Li, Jun, Luo, Kun, Yu, Jiahan, Zhang, Qingzhu, Hou, Zhaozhao, Gu, Jie, Yang, Wen, Wu, Zhenhua
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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