Mobility and Stability Enhancement of Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs With Atomic Layer Deposited Al 2 O 3 /SiO 2 Stacked Insulators

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of the Electron Devices Society 2016-09, Vol.4 (5), p.347-352
Hauptverfasser:	Zheng, Li-Li, Qian, Shi-Bing, Wang, You-Hang, Liu, Wen-Jun, Ding, Shi-Jin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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