Reply to "Comment on 'A simple method to improve the noise margin of III-V DCFL Digital circuit coupling diode FET Logic'"

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1986-09, Vol.7 (9), p.556-557
Hauptverfasser:	Long Yang, Yuen, A.T., Long, S.I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Circuit noise Coupling circuits Digital circuits Diodes FETs III-V semiconductor materials Inverters Leakage current Logic circuits Transconductance
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