Hot-carrier memory effect in an Al/SiN/SiO 2 /Si MNOS diode due to electrical stress

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 1985-09, Vol.6 (9), p.448-449
Hauptverfasser: Chang, C.Y., Tzeng, F.C., Chen, C.T., Mao, Y.W.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
DOI:10.1109/EDL.1985.26188