MoSi 2 formation by rapid isothermal annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1982-07, Vol.3 (7), p.179-181
Hauptverfasser:	Fulks, R.T., Powell, R.A., Stacy, W.T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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