O 2 Plasma Alternately Treated ALD-Al 2 O 3 as Gate Dielectric for High Performance AlGaN/GaN MIS-HEMTs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE access 2024, Vol.12, p.16089-16094
Hauptverfasser:	Wang, Qiang, Pan, Maolin, Zhang, Penghao, Wang, Luyu, Yang, Yannan, Xie, Xinling, Huang, Hai, Hu, Xin, Xu, Min
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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