Effect of H 2 content on reliability of ultrathin in-situ steam generated (ISSG) SiO 2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2000-09, Vol.21 (9), p.430-432
Hauptverfasser:	Luo, T.Y., Laughery, M., Brown, G.A., Al-Shareef, H.N., Watt, V.H.C., Karamcheti, A., Jackson, M.D., Huff, H.R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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