Improved reliability of NO-nitrided SiO 2 grown on p-type 4H-SiC

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1998-08, Vol.19 (8), p.279-281
Hauptverfasser:	Hui-Feng Li, Dimitrijev, S., Harrison, H.B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!