Improving radiation hardness of EEPROM/flash cell by N 2 O annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1998-07, Vol.19 (7), p.256-258
Hauptverfasser:	Tiao-Yuan Huang, Fuh-Cheng Jong, Tien-Sheng Chao, Horng-Chih Lin, Len-Yi Leu, Konrad Young, Chen-Hsi Lin, Chin, K.Y.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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