Strained Ga/sub x/In/sub 1-x/P/(AlGa)/sub 0.5/In/sub 0.5/P heterostructures and quantum-well laser diodes

The properties of (AlGa)/sub 0.5/In/sub 0.5/P, strained Ga/sub x/In/sub 1-x/P/(AlGa)/sub 0.5/In/sub 0.5/P heterostructures, and single quantum well (QW) laser diodes with Al/sub 0.5/In/sub 0.5/P cladding layers, prepared by low pressure organometallic vapor phase epitaxy, are described. The influenc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of quantum electronics 1994-02, Vol.30 (2), p.593-607
Hauptverfasser:	Bour, D.P., Geels, R.S., Treat, D.W., Paoli, T.L., Ponce, F., Thornton, R.L., Krusor, B.S., Bringans, R.D., Welch, D.F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Capacitive sensors Diode lasers Electrons Epitaxial growth Polarization Spontaneous emission Threshold current
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