Impact of tunnel currents and channel resistance on the characterization of channel inversion layer charge and polysilicon-gate depletion of sub-20-Å gate oxide MOSFETs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1999, Vol.46 (8), p.1650-1655
Hauptverfasser:	Ahmed, K., Ibok, E., Yeap, G.C.-F., Qi Xiang, Ogle, B., Wortman, J.J., Hauser, J.R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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