Normal incidence detector using Ge quantum-well structures grown on Si

Normal incidence detector using Ge quantum-well structures grown on Si

Summary form only given. The normal incidence detection of light by Sb delta -doped Ge/Si/sub 1-x/Ge/sub x/ multiple quantum well (MQW) structures grown on Si

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 1993-11, Vol.40 (11), p.2141-2142
Hauptverfasser: Lee, C., Chun, S.K., Wang, K.L.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Bipolar transistors
Circuit testing
Detectors
Indium phosphide
Leakage current
Photonic band gap
Quantum wells
Substrates
Temperature
Tunneling
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Beschreibung
Zusammenfassung:Summary form only given. The normal incidence detection of light by Sb delta -doped Ge/Si/sub 1-x/Ge/sub x/ multiple quantum well (MQW) structures grown on Si
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/16.239829