Effect of dislocation density on integrated intensity of X-ray scattering by silicon crystals in Laue geometry

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Acta crystallographica. Section A, Foundations of crystallography Foundations of crystallography, 1983-01, Vol.39 (1), p.116-122
Hauptverfasser:	Olekhnovich, N. M., Karpei, A. L., Olekhnovich, A. I., Puzenkova, L. D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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