Electron Multiplication in Silicon and Germanium

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical Review (U.S.) Superseded in part by Phys. Rev. A, Phys. Rev. B: Solid State, Phys. Rev. C, and Phys. Rev. D Phys. Rev. B: Solid State, Phys. Rev. C, and Phys. Rev. D, 1953-09, Vol.91 (5), p.1079-1084
Hauptverfasser:	McKay, K. G., McAfee, K. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ALPHA PARTICLES- DEFECTS- EFFICIENCY- ELECTRIC CHARGES- ELECTRIC FIELDS- ELECTRONS- GERMANIUM- IONIZATION- SEMICONDUCTORS- SILICON- TEMPERATURE ALPHA PARTICLES- DEFECTS- ELECTRIC CHARGES- ELECTRIC FIELDS- ELECTRONS- GERMANIUM- IONIZATION- LIGHT- SEMICONDUCTORS- SILICON- TEMPERATURE PHYSICS
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