Coherent growth and characterization of van der Waals 1 T − VSe 2 layers on GaAs(111)B using molecular beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physical review materials 2020-08, Vol.4 (8), Article 084002
Hauptverfasser:	Zhu, Tiancong, O’Hara, Dante J., Noesges, Brenton A., Zhu, Menglin, Repicky, Jacob J., Brenner, Mark R., Brillson, Leonard J., Hwang, Jinwoo, Gupta, Jay A., Kawakami, Roland K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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