Oxygen and silicon point defects in Al 0.65 Ga 0.35 N

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review materials 2019-05, Vol.3 (5), Article 054604
Hauptverfasser:	Harris, Joshua S., Gaddy, Benjamin E., Collazo, Ramón, Sitar, Zlatko, Irving, Douglas L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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