Carrier generation in a p -type oxide semiconductor: Sn 2 ( Nb 2 − x Ta x ) O 7

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review materials 2017-07, Vol.1 (2), Article 021601
Hauptverfasser:	Kikuchi, Naoto, Samizo, Akane, Ikeda, Shintaro, Aiura, Yoshihiro, Mibu, Ko, Nishio, Keishi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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