Hard x-ray photoemission study of the temperature-induced valence transition system EuNi 2 ( Si 1 − x Ge x ) 2

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Veröffentlicht in:Physical review. B 2017-07, Vol.96 (4), Article 045106
Hauptverfasser: Ichiki, Katsuya, Mimura, Kojiro, Anzai, Hiroaki, Uozumi, Takayuki, Sato, Hitoshi, Utsumi, Yuki, Ueda, Shigenori, Mitsuda, Akihiro, Wada, Hirofumi, Taguchi, Yukihiro, Shimada, Kenya, Namatame, Hirofumi, Taniguchi, Masaki
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2469-9950
2469-9969
DOI:10.1103/PhysRevB.96.045106