Tunable and abrupt thermal quenching of photoluminescence in high-resistivity Zn-doped GaN
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Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter and materials physics Condensed matter and materials physics, 2011-08, Vol.84 (7), Article 075212 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 1098-0121 1550-235X |
DOI: | 10.1103/PhysRevB.84.075212 |