Modeling for bipolar resistive memory switching in transition-metal oxides

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter and materials physics Condensed matter and materials physics, 2010-10, Vol.82 (15), Article 155321
Hauptverfasser:	Hur, Ji Hyun, Lee, Myoung-Jae, Lee, Chang Bum, Kim, Young-Bae, Kim, Chang-Jung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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