Electron-spin dephasing in GaAs ∕ Al 0.34 Ga 0.66 As quantum wells with a gate-controlled electron density

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter and materials physics Condensed matter and materials physics, 2007-03, Vol.75 (11), Article 115330
Hauptverfasser:	Gerlovin, I. Ya, Efimov, Yu. P., Dolgikh, Yu. K., Eliseev, S. A., Ovsyankin, V. V., Petrov, V. V., Cherbunin, R. V., Ignatiev, I. V., Yugova, I. A., Fokina, L. V., Greilich, A., Yakovlev, D. R., Bayer, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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