Theoretical study of phosphorous δ-doped silicon for quantum computing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter and materials physics Condensed matter and materials physics, 2005, Vol.71 (4), p.045309.1-045309.9, Article 045309
Hauptverfasser: GEFEI QIAN, CHANG, Yia-Chung, TUCKER, J. R
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1098-0121
1550-235X
DOI:10.1103/PhysRevB.71.045309