Helium ion implantation-induced defects in silicon probed with variable-energy positrons

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 2003-10, Vol.68 (16), Article 165332
Hauptverfasser: Fujinami, M., Miyagoe, T., Sawada, T., Suzuki, R., Ohdaira, T., Akahane, T.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0163-1829
1095-3795
DOI:10.1103/PhysRevB.68.165332