Atom vacancy lines and surface patterning: The role of stress for Br-Si(100)- ( 2 × 1 ) at 700 K

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 2003-08, Vol.68 (7), Article 075301
Hauptverfasser:	Xu, G. J., Graugnard, E., Trenhaile, B. R., Nakayama, Koji S., Weaver, J. H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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