Nonpolar In x Ga 1 − x N / GaN ( 11 ¯ 0 0 ) multiple quantum wells grown on γ − LiAlO 2 ( 100 ) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 2003-01, Vol.67 (4), Article 041306
Hauptverfasser: Sun, Yue Jun, Brandt, Oliver, Cronenberg, Sven, Dhar, Subhabrata, Grahn, Holger T., Ploog, Klaus H., Waltereit, Patrick, Speck, James S.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0163-1829
1095-3795
DOI:10.1103/PhysRevB.67.041306