Photoluminescence and reflectance spectroscopy of excitonic transitions in high-quality homoepitaxial GaN films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1999-07, Vol.60 (3), p.1471-1473
Hauptverfasser:	Kornitzer, K., Ebner, T., Thonke, K., Sauer, R., Kirchner, C., Schwegler, V., Kamp, M., Leszczynski, M., Grzegory, I., Porowski, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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