Surface phonons of thin GaSe and InSe films epitaxially grown on the Si ( 111 ) ( 1 × 1 ) − H surface

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1999-06, Vol.59 (24), p.15772-15778
Hauptverfasser:	Panella, V., Glebov, A. L., Toennies, J. P., Sébenne, C., Eckl, C., Adler, C., Pavone, P., Schröder, U.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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