Electron paramagnetic resonance study of hydrogen-vacancy defects in crystalline silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1998-08, Vol.58 (7), p.3842-3852
Hauptverfasser: Stallinga, P., Johannesen, P., Herstrøm, S., Bonde Nielsen, K., Bech Nielsen, B., Byberg, J. R.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0163-1829
1095-3795
DOI:10.1103/PhysRevB.58.3842