Atomic-scale imaging of strain relaxation via misfit dislocations in highly mismatched semiconductor heteroepitaxy: InAs/GaAs(111)A

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1997-01, Vol.55 (3), p.1337-1340
Hauptverfasser:	Yamaguchi, H., Belk, J. G., Zhang, X. M., Sudijono, J. L., Fahy, M. R., Jones, T. S., Pashley, D. W., Joyce, B. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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